Impulslaserdiode 905 nm mit integriertem Hochgeschwindigkeitstreiber (QS).

Kurze Beschreibung:

Ultrakompaktes Modul, das einen Hochstromschalter, einen Ladungsspeicherkondensator und eine gepulste Laserdiode in einem kleinen hermetischen Gehäuse enthält. Die Hochstromschleife befindet sich vollständig im Inneren des Gehäuses und sorgt für eine EMI-Abschirmung, wenn der Schalter aktiv ist.Das Gehäuse verfügt über einen unabhängigen Erdungsstift von den Signal- und Versorgungsrückleitungen.

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Produktdetail

Produkt Tags

Chip-Modell	Spitzenleistung	Leuchtende Größe	Spektrale Linienbreite	Divergenzwinkel	Hoher Druck	Impulsbreite	Pakettyp	Verkapselung	Anzahl der Pins	Fenster	Bereich der Arbeitstemperatur
905D1S3J03	72W 80V	10 × 85 μm	8 nm	20 × 12°	15~80V	2,4 ns/21℃, 40 ns Trigger, 10 kHz, 65 V	TO	TO-56	5	-	-40~100℃

Merkmale

▪ Hermetisches TO-56-Gehäuse (5 Pins)
▪ 905 nm Triple-Junction-Laserdiode, 3 mil, 6 mil und 9 mil Streifen
▪ Die Impulsbreite von typisch 2,5 ns ermöglicht hochauflösende Messanwendungen
▪ Niederspannungs-Ladespeicher: 15 V bis 80 V DC
▪ Pulsfrequenz: bis zu 200 KHz
▪ Evaluierungsboard verfügbar
▪ Verfügbar für die Massenproduktion

Anwendungen

▪ Hochauflösende Entfernungsmessung für Verbraucher
▪ Laserscanning / LIDAR
▪ Drohnen
▪ Optischer Auslöser
▪ Automobil
▪ Robotik
▪ Militär
▪ Industriell

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